BC850CW

Версия для печати

Технические характеристики BC850CW

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	420 @ 2mA, 5V
Power - Max	200mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-70, SOT-323
Корпус	SC-70

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC846AW

NPN Silicon AF Transistor (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)

Также в этом файле: BC850CW

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BC850CW datasheet
275.51Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	ST MICROELECTRONICS
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		312	98.28
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	STMicroelectronics
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	DMS
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX	18
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	КИТАЙ
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	BLUEROCK	3 160	19.64
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	1
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	IR/VISHAY	1	29.04