SS19

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
SS19 (YJ)	16 699	2.04
SS19	41 760	1.98
SS19 (DC COMPONENTS)	42	3.85
SS19 (ONSEMI)	5	3.87

Версия для печати

Технические характеристики SS19

Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type	Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr	200µA @ 90V
Current - Average Rectified (Io)	1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	90V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	850mV @ 1A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Корпус	SMA
Корпус (размер)	DO-214AC, SMA
Тип монтажа	Поверхностный

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

1SS196 (Переключающие диоды)

Diode (ultra High Speed Switching Application)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

SS19 datasheet
129.57Kb
2стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CRCW2512150RFKTG		VISHAY
CRCW2512150RFKTG		VISHAY
CRCW2512150RFKTG		Vishay/Dale
ECAP 1/50V 0511 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1мкФ, 50В, 105С	JAMICON
ECAP 1/50V 0511 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1мкФ, 50В, 105С	JAM
ECAP 1/50V 0511 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1мкФ, 50В, 105С			6.00
ECAP 1/50V 0511 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1мкФ, 50В, 105С	JB
ECAP 1/50V 0511 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1мкФ, 50В, 105С	YAGEO
NJM79L05UA-TE1		NEW JAPAN RADIO
NJM79L05UA-TE1		JRC
NJM79L05UA-TE1				43.56
NJM79L05UA-TE1		NEW JAPAN RADIO
NJM79L05UA-TE1		4-7 НЕДЕЛЬ	784
PLS1.27-30 ВИЛКА				49.84
S25FL008A0LMFI001		SPANSION
S25FL008A0LMFI001		SPANSION