Версия для печати
Технические характеристики RC1206JR-0712KL

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	RC1206
Сопротивление (Ом)	12K
Мощность (Ватт)	0.25W, 1/4W
Composition	Thick Film
Температурный коэфициент	±100ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±5%
Size / Dimension	0.122" L x 0.063" W (3.10mm x 1.60mm)
Высота	0.026" (0.65mm)
Number of Terminations	2
Корпус (размер)	1206 (3216 Metric)
Tolerance	±5%

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Резисторы

 » 

Для поверхностного монтажа

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	DC COMPONENTS	206 775	2.48
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	DIC
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	VISHAY
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	DIOTEC	13	1.74  >100 шт.   0.87
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт		31 309	1.29  >500 шт.   0.43
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	VISHAY
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	UTC
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	KINGTRONICS
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	KINGTRON
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	TSC
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	YJ	866 692	1.11
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	HOTTECH	68 851	1.32  >100 шт.   0.66
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	YANGJIE
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	YANGJIE (YJ)
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	0.00
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	KLS	14 400	2.07
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	JSCJ	195 960	1.28
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	1
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	JINGDAO
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	MDD	70 819	1.54  >100 шт.   0.77
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	JSMICRO	60 424	1.68  >100 шт.   0.84
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	XXW	38 334	1.20  >500 шт.   0.40
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	KEEN SIDE	78	1.38  >500 шт.   0.46
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	MERRYELC
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	ST MICROELECTRONICS	64	1.07
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	988
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	RUME	38 400	1.11  >500 шт.   0.37
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	TRR	235 196	1.26  >500 шт.   0.42
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	10 777	6.72
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 097	3.87
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	672	13.27
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	1 932	3.58
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...			6.68
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	52 512	0.55  >1000 шт.   0.11
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.84  >100 шт.   0.92
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 580	1.08
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KEEN SIDE	712	1.50  >100 шт.   0.75
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MERRYELC	40	1.98  >100 шт.   0.99
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	5725
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	RUME	23 200	1.46  >100 шт.   0.73
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SLKOR	1 520	1.46  >100 шт.   0.73
		C5750X7R2A475K230KA			TDK	664	47.50
		C5750X7R2A475K230KA
		ECAP 100/25V 0611 105C		Электролитический алюминиевый радиальный конденсатор 100мкФ, 25В, 105С	JAMICON
		ECAP 100/25V 0611 105C		Электролитический алюминиевый радиальный конденсатор 100мкФ, 25В, 105С			8.00
		ECAP 100/25V 0611 105C		Электролитический алюминиевый радиальный конденсатор 100мкФ, 25В, 105С	JAM
		ECAP 100/25V 0611 105C		Электролитический алюминиевый радиальный конденсатор 100мкФ, 25В, 105С	JB
		IHLP6767GZER220M11			Vishay/Dale
		IHLP6767GZER220M11
		IHLP6767GZER220M11			VISHAY	40	575.71

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"