PMV65XP
P-channel trenchmos™ extremely low level fet
|
|
Версия для печати
| Серия | TrenchMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 76 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 7.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 725pF @ 20V |
| Power - Max | 1.92W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PMV65XP (MOSFET) P-channel TrenchMOS™ extremely low level FET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N7002 ST-23 |
|
|
||||||
 |
 |
ACST6-7SG-TR |
|
STMicroelectronics |
|
|
||
 |
|
AT93C66A-10SU-2.7 SO-8 |
|
Память EEPROM 4кбит, Serial, 3-Wire, Microwire, 2.7В / 5.0В | ATMEL |
|
|
|
 |
|
PMBT2907A,215 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP 0,6A, 0,25W | NXP Semiconductors |
|
|
|
|
|
|
PMBT2907A,215 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP 0,6A, 0,25W | NXP |
|
|
|
|
|
|
PMBT2907A,215 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP 0,6A, 0,25W | NEXPERIA |
|
|
|
|
|
|
PMBT2907A,215 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP 0,6A, 0,25W | NEX |
|
|
|
|
|
|
PMBT2907A,215 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP 0,6A, 0,25W | NEX-NXP | 96 | 3.78 | |
| TCRT1000 |
|
Датчик оптоэлектронный | VISHAY |
|
|
|||
| TCRT1000 |
|
Датчик оптоэлектронный | 4 | 146.15 | ||||
| TCRT1000 |
|
Датчик оптоэлектронный | Vishay/Semiconductors |
|
|
|||
| TCRT1000 |
|
Датчик оптоэлектронный | ФИЛИППИНЫ |
|
|
|||
| TCRT1000 |
|
Датчик оптоэлектронный | 4-7 НЕДЕЛЬ | 65 |
|
