Версия для печати

BZX55C6V2 (Стабилитроны) 500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Производитель: Synsemi Semiconductor //www.synsemi.com BZX55-C6V2 datasheet 294.43Kb 6стр.

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)	VISHAY
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)	EIC
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)	RECTIFIER
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)		800	1.16
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)	Vishay/Semiconductors
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)	-	32	19.40
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)	HOTTECH	170 121	5.17
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)	КИТАЙ
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)	1
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)	KEEN SIDE	1	4.03
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)	2221	1	6.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	13 500	3.58
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 311	4.10
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	672	13.27
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	1 932	4.24
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...			6.68
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	50 168	0.65  >1000 шт.   0.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.94  >100 шт.   0.97
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KEEN SIDE	1 376	1.58  >100 шт.   0.79
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MERRYELC	2 000	1.03
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	5725	1	1.91
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	RUME	23 200	1.52  >100 шт.   0.76
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SLKOR	1 520	1.54  >100 шт.   0.77
		FOD817C		Фототранзисторный оптрон с цифровым входом, с расширенным диапазоном рабочих температур	FAIR
		FOD817C		Фототранзисторный оптрон с цифровым входом, с расширенным диапазоном рабочих температур	FSC
		FOD817C		Фототранзисторный оптрон с цифровым входом, с расширенным диапазоном рабочих температур	FAIRCHILD
		FOD817C		Фототранзисторный оптрон с цифровым входом, с расширенным диапазоном рабочих температур	FAIRCHILD
		FOD817C		Фототранзисторный оптрон с цифровым входом, с расширенным диапазоном рабочих температур	Fairchild Optoelectronics Group
		FOD817C		Фототранзисторный оптрон с цифровым входом, с расширенным диапазоном рабочих температур	КИТАЙ
		FOD817C		Фототранзисторный оптрон с цифровым входом, с расширенным диапазоном рабочих температур
		FOD817C		Фототранзисторный оптрон с цифровым входом, с расширенным диапазоном рабочих температур	ONS
		FOD817C		Фототранзисторный оптрон с цифровым входом, с расширенным диапазоном рабочих температур	ONS-FAIR
		FOD817C		Фототранзисторный оптрон с цифровым входом, с расширенным диапазоном рабочих температур	4-7 НЕДЕЛЬ	465
		UC2842BD1			ST MICROELECTRONICS
		UC2842BD1			ON SEMICONDUCTOR
		UC2842BD1					67.44
		UC2842BD1			ON SEMICONDUCTOR
		UC2842BD1			STMicroelectronics
		UC2842BD1			МАРОККО
		UC2842BD1			4-7 НЕДЕЛЬ	93

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"