|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2µA @ 25V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200mA (DC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 5ns |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Diode Configuration | 1 Pair Series Connection |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Encapsulate Change 15/May/2008 Wire Change 16/Sept/2008 |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CDRH6D38NP-3R3NC | SUMIDA | 9 041 | 40.44 | |||||
| CDRH6D38NP-3R3NC |
|
54.56 | ||||||
|
|
|
CY7C1049DV33-10ZSXI |
|
Быстрая статическая память 512Kбит x 8 , 10нс, 3.3В | CYPRESS |
|
|
|
|
|
|
CY7C1049DV33-10ZSXI |
|
Быстрая статическая память 512Kбит x 8 , 10нс, 3.3В |
|
769.20 | ||
|
|
|
CY7C1049DV33-10ZSXI |
|
Быстрая статическая память 512Kбит x 8 , 10нс, 3.3В | CYPR |
|
|
|
|
|
|
CY7C1049DV33-10ZSXI |
|
Быстрая статическая память 512Kбит x 8 , 10нс, 3.3В | CYPRESS |
|
|
|
|
|
|
CY7C1049DV33-10ZSXI |
|
Быстрая статическая память 512Kбит x 8 , 10нс, 3.3В | Cypress Semiconductor Corp |
|
|
|
|
|
|
CY7C1049DV33-10ZSXI |
|
Быстрая статическая память 512Kбит x 8 , 10нс, 3.3В | CYP |
|
|
|
|
|
|
CY7C1049DV33-10ZSXI |
|
Быстрая статическая память 512Kбит x 8 , 10нс, 3.3В | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
|
| HU-2КОМПЛЕКТ | HSUAN MAO |
|
|
|||||
| PMEG4010BEA | NXP |
|
|
|||||
| PMEG4010BEA | PHILIPS |
|
|
|||||
| PMEG4010BEA |
|
31.48 | ||||||
| PMEG4010BEA | NXP | 64 |
|
|||||
| PMEG4010BEA | PHILIPS |
|
|
|||||
|
|
RPER71H684K3S1C03A |
|
Murata Electronics North America |
|
|
|||
|
|
RPER71H684K3S1C03A |
|
MUR |
|
|
|||
|
|
RPER71H684K3S1C03A |
|
MURATA |
|
|