|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
19 753
|
2.10
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
504
|
1.55
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
27 768
|
1.38
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
1 324
|
1.27
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
24
|
11.37
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
104
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 920
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
2 593
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
21
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
34 570
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
112 817
|
1.31
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
36 000
|
1.17
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
310 848
|
1.03
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
79 596
|
1.08
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
37 160
|
1.29
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
XXW
|
17 257
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
KID65003AP (ULN2003A) |
|
|
|
|
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
NXP
|
3 544
|
10.50
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
PHILIPS
|
8 800
|
10.50
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
|
4 800
|
3.18
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
MOTOROLA
|
480
|
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
1
|
|
|
|
|
|
RTE24012 |
|
|
SCHRACK
|
|
|
|
|
|
RTE24012 |
|
|
TE Connectivity
|
|
|
|
|
|
RTE24012 |
|
|
TYCO
|
|
|
|
|
|
RTE24012 |
|
|
|
153
|
1 262.42
|
|
|
|
RTE24012 |
|
|
TE
|
|
|
|
|
|
RTE24012 |
|
|
TE CONNECTIVITY LTD
|
|
|
|
|
|
ULN2004A |
|
ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS
|
ALLEGRO
|
|
|
|
|
|
ULN2004A |
|
ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS
|
ST MICROELECTRONICS
|
888
|
44.87
|
|
|
|
ULN2004A |
|
ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS
|
|
38
|
42.55
|
|
|
|
ULN2004A |
|
ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS
|
ALLEGRO
|
|
|
|
|
|
ULN2004A |
|
ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
ULN2004A |
|
ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS
|
ALLEGRO MICROSYSTEMS INC
|
15
|
|
|
|
|
ULN2004A |
|
ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
ULN2004A |
|
ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
ULN2004A |
|
ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
ULN2004A |
|
ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
30
|
|
|