Версия для печати
Технические характеристики RLB0914-271KL

Допустимые отклонения емкости	±10%
Тип	Ferrite Core
Current	650mA
Inductance	270µH
Серия	RLB
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
DC Resistance (DCR)	680 mOhm Max
Q @ Freq	20 @ 796kHz
Self Resonant Freq	2.2MHz
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-40°C ~ 105°C
Frequency - Test	796kHz
Material - Core	Ferrite
Сфера применения	General Purpose
Tolerance	±10%

RLB Radial Inductors Также в этом файле: RLB0914-271KL Производитель: Bourns Electronic Solutions //www.bourns.ru RLB0914-271KL datasheet 232.06Kb 7стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Индукторы, катушки, дроссели

 » 

Постоянные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC857,215			NXP Semiconductors
		BC857,215			NXP	792	1.94  >100 шт.   0.97
		BC857,215			NEX
		BC857,215			NEXPERIA	78	2.32
		MBRS340			ON SEMICONDUCTOR
		MBRS340			FAIR
		MBRS340			VISHAY
		MBRS340			MOTOROLA
		MBRS340					31.12
		MBRS340			FAIRCHILD
		MBRS340			GALAXY
		MBRS340			FAIRCHILD	1 036
		MBRS340			MOTOROLA
		MBRS340			Fairchild Semiconductor
		MBRS340			КИТАЙ
		MBRS340			ONS
		MBRS340			ONS-FAIR
		MBRS340			HOTTECH	5 379	9.60
		MBRS340			SUNMATE	1 778	8.05
		RS202		Мост 2А, 100В	DC COMPONENTS
		RS202		Мост 2А, 100В		1 520	7.28
		RS202		Мост 2А, 100В	DALLAS
		RS202		Мост 2А, 100В	DS
		RS202		Мост 2А, 100В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		RS202		Мост 2А, 100В	MIC	2 909	10.62
		RS202		Мост 2А, 100В	KINGTRONICS
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	SEMTECH
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	MCC
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс		238	10.08
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	DC COMPONENTS	9 640	2.82
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	MASTER INSTRUMENT CO
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	GALAXY
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	MIC	18 897	1.38
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	КИТАЙ	532	9.07
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	YJ
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	KINGTRONICS
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	GALAXY ME
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	LGE	17 600	2.07
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	WUXI XUYANG	11 851	4.17
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	YANGJIE
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	YANGJIE (YJ)
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	1
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...		1 013	5.55
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	КРЕМНИЙ	880	9.45
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	СВЕТЛАНА	21 050	4.20
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	БРЯНСК
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	РИГА	4 485	4.20
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	НАЛЬЧИК
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	МИНСК
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	RUS
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"