AD8510AR

ОУ полев., 8 МГц, 20 В/мкс, Uсм = 0,1 мВ, 1,7 мкВ/°С, 7,6 нВ/VГц, Iвх = 0,021 нА, Iвых = 54 мА, Iп = 2 мА, Uп = 9...36 В, -40...+125°C, SOIC8.

Версия для печати

Технические характеристики AD8510AR

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	±4.5 V ~ 18 V
Ток выходной / канал	70mA
Ток выходной	2.2mA
Напряжение входного смещения	100µV
Ток - входного смещения	25pA
Полоса пропускания	8MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	20 V/µs
Число каналов	1
Тип усилителя	J-FET
Lead Free Status / RoHS Status	RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.