| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2SB817 |
|
Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
|
2SB817 |
|
Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц
|
|
560
|
86.15
|
|
|
|
|
2SB817 |
|
Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц
|
SAN
|
|
|
|
|
|
|
2SB817 |
|
Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
|
PLCC-32 |
|
Панель для микросхем 32конт., 1,27мм, 0.02Ом, 1А
|
AUK
|
|
|
|
|
|
|
PLCC-32 |
|
Панель для микросхем 32конт., 1,27мм, 0.02Ом, 1А
|
|
266
|
58.56
|
|
|
|
|
PLCC-32 |
|
Панель для микросхем 32конт., 1,27мм, 0.02Ом, 1А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
PLCC-32 |
|
Панель для микросхем 32конт., 1,27мм, 0.02Ом, 1А
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
|
PLCC-32 |
|
Панель для микросхем 32конт., 1,27мм, 0.02Ом, 1А
|
NXU
|
16
|
40.29
|
|
|
|
|
К50-29В-1000МКФ 63В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КП303В |
|
Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
|
|
37.48
|
|
|
|
|
КП303В |
|
Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
|
КП303В |
|
Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303В |
|
Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕКСАНДРОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КП303В |
|
Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN
|
|
1 256
|
49.19
|
|
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN
|
ПЛАНЕТА
|
5 575
|
53.00
|
|
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
