IRLU8256
|
Версия для печати
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1470pF @ 13V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 81A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 25A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 63W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Корпус | I-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 100 UF 16V 105C 511 |
|
|
||||||
 |
 |
1206-4.7K 1% |
|
ЧИП — резистор 1206, 4,7кОм, 1% | 10 |
1.44 >500 шт. 0.48 |
||
 |
|
1776275-2 |
|
TE Connectivity |
|
|
||
|
|
|
1776275-2 |
|
TYCO |
|
|
||
|
|
|
1776275-2 |
|
|
|
|||
|
|
|
1776275-2 |
|
BUCHANAN | 500 |
|
||
|
|
|
1776275-2 |
|
TE |
|
|
||
 |
DTSM80-3.8N (21N-T/R) |
|
DPT |
|
|
|||
|
|
DTSM80-3.8N (21N-T/R) |
|
|
19.16 | ||||
|
|
DTSM80-3.8N (21N-T/R) |
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
|
|
DTSM80-3.8N (21N-T/R) |
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
|
|
DTSM80-3.8N (21N-T/R) |
|
КИТАЙ |
|
|
|||
| RC1206JR-0768RL | YAGEO | 324 293 |
0.90 >1000 шт. 0.18 |
|||||
| RC1206JR-0768RL | PHYCOMP |
|
|
|||||
| RC1206JR-0768RL | PHYCOMP | 21 817 |
|
|||||
| RC1206JR-0768RL | YAGEO |
|
|
|||||
| RC1206JR-0768RL |
|
|
