|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1554ТЛ2ТБМ |
|
|
|
|
3 188.00
|
|
|
|
1554ТЛ2ТБМ |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
1554ТЛ2ТБМ |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
HFA25TB60PBF |
|
Быстровосстанавливающийся диод Vобр = 600V, Iпр =25A, TO-220AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
HFA25TB60PBF |
|
Быстровосстанавливающийся диод Vобр = 600V, Iпр =25A, TO-220AC
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
HFA25TB60PBF |
|
Быстровосстанавливающийся диод Vобр = 600V, Iпр =25A, TO-220AC
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
HFA25TB60PBF |
|
Быстровосстанавливающийся диод Vобр = 600V, Iпр =25A, TO-220AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
75.60
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
|
|
63.60
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
24
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
MINOS
|
290
|
26.17
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
EVVO
|
13 225
|
15.92
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
|
|
904.00
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
IR/VISHAY
|
37
|
1 089.00
|
|
|
|
MB5010 |
|
Диодный мост 50A 1000B MB-25
|
DC COMPONENTS
|
392
|
100.50
|
|
|
|
MB5010 |
|
Диодный мост 50A 1000B MB-25
|
|
|
208.00
|
|
|
|
MB5010 |
|
Диодный мост 50A 1000B MB-25
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|