Версия для печати
Технические характеристики BZX84-B3V3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	3.3V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	900mV @ 10mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 1V
Допустимые отклонения емкости	±2%
Power - Max	250mW
Impedance (Max) (Zzt)	95 Ohm
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Стабилитроны

 » 

Стабилитроны - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NXP	6 360	2.12
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIODES
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC	1	4.43
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	FAIR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	PHILIPS	1 052	1.70
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DC COMPONENTS	14 021	2.32
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	WTE
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	WILLAS ELECTRONIC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	FAIRCHILD
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	MCC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	FAIRCHILD	1 304
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NXP	149
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	OTHER	44
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	PHILIPS	1 404
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	WILLAS ELECTRONIC CORP
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	UTC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	GALAXY	349	1.75
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	Fairchild Semiconductor
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	PHILIPS SEMIC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	КИТАЙ
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ZETEX
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	VISHAY
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...		16 491	1.52  >100 шт.   0.76
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ONS-FAIR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YJ	252 668	1.03
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	GALAXY ME
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	LRC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC ELECTRONICS CORP
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC SEMICONDUCTOR AG	100
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	HOTTECH	147 664	1.74  >100 шт.   0.87
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	KLS
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	SUNTAN
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	PANJIT	24 773
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	GOOD-ARK SEMICONDUCTOR	27
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	SEMTECH
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YANGJIE	14 400	1.03
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YANGJIE (YJ)
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	WUXI XUYANG
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ONSEMICONDUCTOR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NEX-NXP	62	3.10
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ONS
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	TWGMC	38 012	1.23
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	OLITECH	58	1.89
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	JSCJ	54 880	1.69
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YOUTAI	5 537	1.38
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	1
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	JINGDAO	2 016	1.26  >500 шт.   0.42
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NEXPERIA	1 832	1.70
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ASEMI	123 297	1.47  >500 шт.   0.49
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YANGZHOU YANGJIE
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOS	36	1.35  >500 шт.   0.45
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	KEEN SIDE
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	MERRYELC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	1996
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	2300
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	2975
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	2520
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	27000
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	RUME	74 400	1.24  >100 шт.   0.62
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	TRR	141 200	1.24  >100 шт.   0.62
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	1	9.73
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC	228 218	2.25
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DC COMPONENTS	44 863	2.68
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	MCC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	UTC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)		47 671	1.16  >100 шт.   0.58
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	325
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LI-SION TECHNOLOGY INC.
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	4 345
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FSC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS-FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	27 200
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	3 467	1.70
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	INFINEON	800	5.47
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY ME
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECH	649 649	1.14  >100 шт.   0.57
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ARK
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	АЛЕКСАНДРОВ
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LRC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KLS	426	1.96  >100 шт.   0.98
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NEXPERIA	95 404	1.09
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIODES
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PHILIPS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE (YJ)
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SEMTECH	220	1.23
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PJ	2 865	1.96  >100 шт.   0.98
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE	1 527 414	0.90  >500 шт.   0.30
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YJ	563 590	1.62
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JSCJ	135 256	1.76
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP/NEXPERIA
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR	273 600	1.32  >500 шт.   0.44
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SUNTAN	429	1.11  >500 шт.   0.37
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JINGDAO	8 384	1.02  >500 шт.   0.34
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR ELECTRONICS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECCN	1 710	1.70
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	CJ
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGZHOU YANGJIE
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEEN SIDE	173 388	1.26  >500 шт.   0.42
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	2138
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	4334
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ASEMI	166 463	1.20  >500 шт.   0.40
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	19480
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	22054
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	643
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	1054
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	543
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGZHOUYANGJIEEL	591 996	1.72  >100 шт.   0.86
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)		291 564	1.44  >500 шт.   0.48
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	800	8.59
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	NXP
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	DIOTEC	2	5.04
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	INFINEON
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	MCC
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	DC COMPONENTS
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	GALAXY	3 389	3.28
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	OTHER	12 800
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	1 424
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	ONS
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	КИТАЙ
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	NXP	7 139
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YJ	167 304	1.60
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	GALAXY ME
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	HOTTECH	13 812	1.03
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	LRC
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	KLS
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	PANJIT
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	SEMTECH	4	2.49
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YANGJIE
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YANGJIE (YJ)
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YOUTAI	55 041	1.55
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	ZH
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	6 375	1.68
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	ASEMI
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	TRR	84 000	1.18  >100 шт.   0.59
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YIXING
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	1
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	SUNTAN	423 065	1.90  >100 шт.   0.95
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	SHIKUES
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YANGZHOU YANGJIE
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	MERRYELC
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	CTK	4	1.34
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	2785
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	765
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	400	98.38
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INTERSIL
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...		684	79.55
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	ФИЛИППИНЫ
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INFINEON
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	1
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	YOUTAI	6 193	22.94
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	WS
		RM10 СКОБА			SHAAN
		RM10 СКОБА					11.20
		RM10 СКОБА			SHINHOM
		RM10 СКОБА			КИТАЙ
		RM10 СКОБА

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"