NAND02GW3B2DN6E
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
NAND02GW3B2DN6E (ST MICROELECTRONICS SEMI.) |
614 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
NAND02GW3B2DN6E (4-7 НЕДЕЛЬ) |
352 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики NAND02GW3B2DN6E
| Корпус | 48-TSOP |
| Корпус (размер) | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение питания | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Объем памяти | 2G (256M x 8) |
| Тип памяти | FLASH - NAND |
| Формат памяти | FLASH |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
