| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
GRM21BR71E105K |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, 10%, 25В, 0805
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
GRM21BR71E105K |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, 10%, 25В, 0805
|
|
|
3.92
|
|
|
|
GRM21BR71E105K |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, 10%, 25В, 0805
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
IRF9321 |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF9321 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IRF9321 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2 324
|
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INFINEON
|
37
|
9.30
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
|
28
|
14.88
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INFINEON
|
532
|
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
TRR
|
10
|
4.13
|
|
|
|
|
LMX1600TM |
|
Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LMX1600TM |
|
Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц
|
|
|
137.08
|
|
|
|
|
LMX1600TM |
|
Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
4
|
|
|
|
|
|
LMX1600TM |
|
Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц
|
NATIONAL
|
20
|
150.06
|
|
|
|
|
LMX1600TM |
|
Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
MC78M05BDT |
|
(+5В, 0.5А) DPAK
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC78M05BDT |
|
(+5В, 0.5А) DPAK
|
|
2 000
|
40.92
|
|
|
|
MC78M05BDT |
|
(+5В, 0.5А) DPAK
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MC78M05BDT |
|
(+5В, 0.5А) DPAK
|
ONS
|
|
|
|