FQI32N20CTU


FQI32N20CTU (заказ)
FQI32N20CTU

Технические характеристики FQI32N20CTU

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияQFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs82 mOhm @ 14A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C28A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2220pF @ 25V
Power - Max3.13W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
КорпусI2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru