| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
3296W-1-473 |
|
Подстроечный резистор 47K
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-473 |
|
Подстроечный резистор 47K
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-473 |
|
Подстроечный резистор 47K
|
|
|
24.00
|
|
|
|
|
3296W-1-473 |
|
Подстроечный резистор 47K
|
TRIMMER
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-473 |
|
Подстроечный резистор 47K
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-473 |
|
Подстроечный резистор 47K
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-473 |
|
Подстроечный резистор 47K
|
КИТАЙ
|
|
|
|
 |
|
AD812ARZ |
|
2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...
|
ANALOG DEVICES
|
4
|
1 753.19
|
|
|
|
|
AD812ARZ |
|
2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
AD812ARZ |
|
2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
AD812ARZ |
|
2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...
|
|
|
|
|
|
|
|
AD812ARZ |
|
2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
202
|
|
|
|
|
|
CC1206MRY5V9BB474 |
|
Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
CC1206MRY5V9BB474 |
|
Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
|
CC1206MRY5V9BB474 |
|
Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CC1206MRY5V9BB474 |
|
Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
 |
LM7001 |
|
FM синтезатоp частоты, (PLL)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM7001 |
|
FM синтезатоp частоты, (PLL)
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
|
LM7001 |
|
FM синтезатоp частоты, (PLL)
|
|
59
|
218.30
|
|
|
|
|
LM7001 |
|
FM синтезатоp частоты, (PLL)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
LM7001 |
|
FM синтезатоp частоты, (PLL)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
569
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
|
585
|
28.52
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
КРЕМНИЙ
|
480
|
32.79
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
БРЯНСК
|
2 555
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ЭЛЬТАВ
|
3 601
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
257
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
3194
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
4316
|
|
|
|
Версия для печати
