| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
TDA8927J |
|
УНЧ 2x80W, 140W BTL (2x27V/4 Ом), Class-D
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TDA8927J |
|
УНЧ 2x80W, 140W BTL (2x27V/4 Ом), Class-D
|
PHILIPS
|
26
|
884.52
|
|
|
|
TDA8927J |
|
УНЧ 2x80W, 140W BTL (2x27V/4 Ом), Class-D
|
|
|
526.20
|
|
|
|
TDA8927J |
|
УНЧ 2x80W, 140W BTL (2x27V/4 Ом), Class-D
|
PHILIPS
|
19 116
|
|
|
|
|
TDA8927J |
|
УНЧ 2x80W, 140W BTL (2x27V/4 Ом), Class-D
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
96
|
|
|
|
|
TR81-24VDC-SC-C |
|
Реле 24В/20А, 14VDC
|
TTI
|
|
|
|
|
|
TR81-24VDC-SC-C |
|
Реле 24В/20А, 14VDC
|
|
1
|
100.00
|
|
|
|
TR81-24VDC-SC-C |
|
Реле 24В/20А, 14VDC
|
TS
|
|
|
|
|
|
TR81-24VDC-SC-C |
|
Реле 24В/20А, 14VDC
|
TAI SHING
|
|
|
|
|
|
TR81-24VDC-SC-C |
|
Реле 24В/20А, 14VDC
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TR81-24VDC-SC-C |
|
Реле 24В/20А, 14VDC
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
|
1 029
|
14.72
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
12.47
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ПЛАНЕТА
|
1 412
|
8.69
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
БРЯНСК
|
2 505
|
17.01
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
МИНСК
|
1 720
|
16.38
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
1
|
4.48
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
132
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
2150
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
3000
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
765
|
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ЖЁЛТ. 0.5М |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ЖЁЛТ. 0.5М |
|
|
ПОЛЬША
|
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ЖЁЛТ. 0.5М |
|
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 СИН. 0.5М |
|
|
|
|
33.84
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 СИН. 0.5М |
|
|
ПОЛЬША
|
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 СИН. 0.5М |
|
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|