|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4750A (27V) |
|
|
DC COMPONENTS CO LTD
|
|
|
|
|
|
1N4750A (27V) |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4750A (27V) |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4751A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4751A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4751A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V
|
DIOD
|
|
|
|
|
|
1N4751A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4751A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V
|
HITACHI SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4751A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4751A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4751A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V
|
|
9 602
|
1.99
|
|
|
|
1N4751A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V
|
FAIRCHILD
|
80
|
9.83
|
|
|
|
1N4751A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4751A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V
|
HITACHI SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4751A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4751A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4751A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4751A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4751A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4751A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4751A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4751A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V
|
DIODES
|
800
|
9.83
|
|
|
|
1N4751A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V
|
KEISUM
|
|
|
|
|
|
1N4751A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4751A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 30 V
|
1
|
|
|
|
|
|
25LC640-I/SN |
|
Последовательная память EEPROM (64K, 8Kx8 bit, 10 M циклов, SPI interface, 2.0MHz@5V, ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
25LC640-I/SN |
|
Последовательная память EEPROM (64K, 8Kx8 bit, 10 M циклов, SPI interface, 2.0MHz@5V, ...
|
|
|
89.36
|
|
|
|
25LC640-I/SN |
|
Последовательная память EEPROM (64K, 8Kx8 bit, 10 M циклов, SPI interface, 2.0MHz@5V, ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
25LC640-I/SN |
|
Последовательная память EEPROM (64K, 8Kx8 bit, 10 M циклов, SPI interface, 2.0MHz@5V, ...
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
25LC640-I/SN |
|
Последовательная память EEPROM (64K, 8Kx8 bit, 10 M циклов, SPI interface, 2.0MHz@5V, ...
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
25LC640-I/SN |
|
Последовательная память EEPROM (64K, 8Kx8 bit, 10 M циклов, SPI interface, 2.0MHz@5V, ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
25LC640-I/SN |
|
Последовательная память EEPROM (64K, 8Kx8 bit, 10 M циклов, SPI interface, 2.0MHz@5V, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
393
|
|
|
|
|
NM93C46M |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NM93C46M |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
NM93C46M |
|
|
|
|
|
|
|
|
NM93C46M |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NM93C46M |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
214
|
|
|
|
|
UCC28600D |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
171
|
1 811.25
|
|
|
|
UCC28600D |
|
|
|
|
280.00
|
|
|
|
UCC28600D |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
UCC28600D |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
737
|
|
|