| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SD1609 |
|
Биполярный транзистор NPN 160V, 0.1A, 1.25W, 140MHz (Comp. 2SB1109)
|
HITACHI
|
128
|
65.10
|
|
|
|
2SD1609 |
|
Биполярный транзистор NPN 160V, 0.1A, 1.25W, 140MHz (Comp. 2SB1109)
|
|
|
20.96
|
|
|
|
2SD1609 |
|
Биполярный транзистор NPN 160V, 0.1A, 1.25W, 140MHz (Comp. 2SB1109)
|
HIT
|
|
|
|
|
|
2SD1609 |
|
Биполярный транзистор NPN 160V, 0.1A, 1.25W, 140MHz (Comp. 2SB1109)
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
2SD1609 |
|
Биполярный транзистор NPN 160V, 0.1A, 1.25W, 140MHz (Comp. 2SB1109)
|
SANYO ELECTRIC
|
|
|
|
|
|
2SD1609 |
|
Биполярный транзистор NPN 160V, 0.1A, 1.25W, 140MHz (Comp. 2SB1109)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2SD1609 |
|
Биполярный транзистор NPN 160V, 0.1A, 1.25W, 140MHz (Comp. 2SB1109)
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2SD1609 |
|
Биполярный транзистор NPN 160V, 0.1A, 1.25W, 140MHz (Comp. 2SB1109)
|
КИТАЙ
|
3
|
45.02
|
|
|
|
|
3006P-1-502 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-502 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-502 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
|
|
26.28
|
|
|
|
|
3006P-1-502 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-502 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
BOURNS
|
162
|
|
|
|
|
|
3006P-1-502 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-502 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-502 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
BOCHEN
|
|
|
|
|
|
|
BFT92.215 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BFT92.215 |
|
|
|
|
|
|
|
|
TE-78 220V 80W |
|
Паяльник 220В, 80Вт
|
|
|
394.92
|
|
|
|
КТ819В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
|
499
|
69.92
|
|
|
|
КТ819В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
96.04
|
|
|
|
КТ819В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
БРЯНСК
|
64
|
22.32
|
|
|
|
КТ819В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ819В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ819В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ819В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
RUS
|
|
|
|