DS1230Y-100

Микросхема памяти SRAM 256кб, 32*8кб, 100нс 4.75В... 5.25В, 85мА

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
DS1230Y-100 (4-7 НЕДЕЛЬ)	794	3-4 недели Цена по запросу

Микросхема памяти SRAM
Объем памяти 256кб
Архитектура 32*8кб
Время доступа 100нс
Напряжение питания 4.75В... 5.25В
Максимальный 85мА
Диапазон температур 0 ... 70^оС

Версия для печати

Технические характеристики DS1230Y-100

Корпус	28-EDIP
Корпус (размер)	28-DIP Module (600 mil), 28-EDIP
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение питания	4.5 V ~ 5.5 V
Интерфейс подключения	Parallel
Скорость	100ns
Объем памяти	256K (32K x 8)
Тип памяти	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Формат памяти	RAM
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Микросхема памяти SRAM 256кб, 32*8кб, 100нс 4.75В... 5.25В, 85мА

DS1230Y-100 datasheet
205,84kB
11стр.

DS1230Y-100

Микросхема памяти SRAM 256кб, 32*8кб, 100нс 4.75В... 5.25В, 85мА

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Микросхемы

Память (EEPROM, Flash, RAM)