IPP60R299CP

Версия для печати

Технические характеристики IPP60R299CP

FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	CoolMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	299 mOhm @ 6.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 440µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1100pF @ 100V
Power - Max	96W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	PG-TO220-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IPP60R299CP

CoolMOS Power Transistor

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

IPP60R299CP datasheet
334.49Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1156ЕУ2				7 800.00
1156ЕУ2		КРЕМНИЙ
1401СА1			5	2 760.00
1401СА1		ФОТОН
1401СА1		АКБ ФОТОН
1401СА1		ОКБ ФОТОН
АОТ127А	Транзисторная оптопара	ПРОТОН	1 435	66.12
АОТ127А	Транзисторная оптопара		23	26.12
АОТ127А	Транзисторная оптопара	УЛЬЯНОВСК	3 912	11.52
АОТ127А	Транзисторная оптопара	ИЗЛУЧАТЕЛЬ
АОТ127А	Транзисторная оптопара	RUS
АОТ127А	Транзисторная оптопара	ПРОТОН
АОТ127А	Транзисторная оптопара	УРЛЗ	532	22.68
АОТ128Д	Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения ...		1 360	35.15
АОТ128Д	Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения ...	ПРОТОН	234	113.65
АОТ128Д	Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения ...	УЛЬЯНОВСК
АОТ128Д	Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения ...	RUS
ЛЕПЕСТОК ШТЫРЬ 2-1.0-3-9-03 ГОСТ 16840-78				1.32