TS555CDT
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SO |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Ток выходной | 65µA |
| Напряжение питания | 2 V ~ 16 V |
| Частота | 2.7MHz |
| Тип | 555 Type, Timer/Oscillator (Single) |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequency | 2.7MHz |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 7812ABV (L7812ABV) | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| 7812ABV (L7812ABV) |
|
|
||||||
 |
 |
IRFP064NPBF |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFP064NPBF |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRFP064NPBF |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | 520 | 55.86 | ||
 |
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт | 11 | 351.50 | ||
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт | INTERSIL |
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт | 1 |
|
|
|
| L7805CD2T TO-263 |
|
|
||||||
| LD1085V | ST MICROELECTRONICS | 576 | 81.62 | |||||
| LD1085V |
|
140.00 | ||||||
| LD1085V | ST MICROELECTRONICS SEMI | 41 |
|
|||||
| LD1085V | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| LD1085V | 4-7 НЕДЕЛЬ | 771 |
|
