TPS1100DR


Купить TPS1100DR ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
TPS1100DR
Версия для печати

Технические характеристики TPS1100DR

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs180 mOhm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.6A
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs5.45nC @ 10V
Power - Max791mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOIC
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход