SST25VF010-20-4C-SA

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK3264	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W)	FUJITSU
2SK3264	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W)	FUJI ELECTRIC	8	219.24
2SK3264	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W)		3	272.16
2SK3264	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W)	FUJI
2SK3264	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W)	FUJ
2SK3264	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W)	ГЕРМАНИЯ
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	NXP
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	PHILIPS
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц			4.20
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	KEMET
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	NXP	626
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	PHILIPS	18 448
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	HOTTECH
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	JSCJ	300 932	1.82 >100 шт. 0.91
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	TOP DIODE	81 600	1.05
DS275		MAXIM
DS275
DS275		4-7 НЕДЕЛЬ	549
SG5841SZ		SGC
SG5841SZ				220.36
SG5841SZ		FAIRCHILD
SG5841SZ		Fairchild Semiconductor
SG5841SZ		ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SG5841SZ		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
SG5841SZ		FSC1
SG5841SZ		FSC
SG5841SZ		ONS
SG5841SZ		4-7 НЕДЕЛЬ	320
W78E516B40PL		WINBOND
W78E516B40PL		WINBOND
W78E516B40PL		Nuvoton Technology Corporation of America