| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
CR2032-VAY3-15.2 |
|
|
EEMB
|
|
|
|
|
|
|
CR2032-VAY3-15.2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CR2032-VAY3-15.2 |
|
|
FANSO
|
|
|
|
|
|
|
CRCW08051K80FKEA |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
CRCW08051K80FKEA |
|
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
|
CRCW08051K80FKEA |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
FDV301N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FDV301N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)
|
|
11 600
|
4.11
|
|
|
|
|
FDV301N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FDV301N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)
|
FAIRCHILD
|
4 897
|
|
|
|
|
|
FDV301N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FDV301N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FDV301N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
FDV301N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)
|
ONS-FAIR
|
1
|
9.57
|
|
|
|
|
FDV301N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
388
|
|
|
|
|
|
FDV301N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)
|
VBSEMI
|
6 724
|
2.14
|
|
|
|
|
FDV301N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)
|
YOUTAI
|
10 972
|
1.69
|
|
|
|
|
КТ940В |
|
|
|
359
|
11.52
|
|
|
|
|
КТ940В |
|
|
КРЕМНИЙ
|
266
|
28.89
|
|
|
|
|
КТ940В |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ940В |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ940В |
|
|
ЭЛЬТАВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ940В |
|
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 539
|
30.36
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
5 195
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
1
|
71.49
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЭКСИТОН
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
VBYCR
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
7021
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
9
|
|
|
|
Версия для печати
