SI5853CDC-T1-E3


Купить SI5853CDC-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI5853CDC-T1-E3
Версия для печати

Технические характеристики SI5853CDC-T1-E3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияLITTLE FOOT®
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureDiode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs104 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs11nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds350pF @ 10V
Power - Max3.1W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)1206-8 ChipFET™
Корпус1206-8 ChipFET™
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход