SI4404DY-T1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI4404DY-T1 (SILICONIX.)	390	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI4404DY-T1

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 23A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	15A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	55nC @ 4.5V
Power - Max	1.6W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SI4404DY

N-channel 30-v (d-s) Mosfet

Также в этом файле: Si4404DY-T1

Производитель:
Vishay
//www.vishay.com

SI4404DY-T1 datasheet
59.14Kb
4стр.