|
Версия для печати
| Корпус (размер) | 4-SMD (300 mil) |
| Тип выхода | Transistor |
| Vce Saturation (Max) | 400mV |
| Current - DC Forward (If) | 60mA |
| Ток выходной / канал | 50mA |
| Напряжение выходное | 70V |
| Current Transfer Ratio (Max) | 200% @ 10mA |
| Current Transfer Ratio (Min) | 34% @ 1mA |
| Voltage - Isolation | 5300Vrms |
| Количество каналов | 1 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип входа | DC |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 10МКФ 16В (4X5) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ, 16В |
|
13.60 | ||||
| 2SK2382 | TOSHIBA |
|
|
|||||
| 2SK2382 |
|
|
||||||
| 2SK2382 | TOS |
|
|
|||||
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | SIEMENS |
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W |
|
130.36 | ||
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | ISC |
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | 1 |
|
|
|
|
|
|
MMBD352WT1 |
|
Сдвоенный ограничительный диод шоттки | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
MMBD7000LT1 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | INFINEON |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | MOTOROLA |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | MOTOROLA | 52 |
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | ON SEMICONDUCTOR | 3 265 |
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | Infineon Technologies |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | INFINEON | 2 084 |
|