|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
2 178
|
16.26
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
153 016
|
4.09
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
HY ELECTRONIC CORPORATION
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIOTEC ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
|
39 360
|
2.03
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
HY ELECTRONIC CORPORATION
|
140
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
120
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
PANJIT
|
85
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MIC
|
33 148
|
3.13
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
YJ
|
5 823
|
8.37
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
20 899
|
7.84
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
KLS
|
6 960
|
7.23
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
LGE
|
36
|
4.13
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
10 533
|
6.51
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
XSEMI
|
5 230
|
5.48
|
|
|
|
BYW29E-200 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=200V, Ir=8A, Ifsm=80A, Vf=0.8V@I=8A
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BYW29E-200 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=200V, Ir=8A, Ifsm=80A, Vf=0.8V@I=8A
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BYW29E-200 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=200V, Ir=8A, Ifsm=80A, Vf=0.8V@I=8A
|
|
|
60.76
|
|
|
|
BYW29E-200 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=200V, Ir=8A, Ifsm=80A, Vf=0.8V@I=8A
|
NXP
|
541
|
|
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
8
|
317.52
|
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W
|
|
7
|
491.40
|
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W
|
IXYS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W
|
1
|
|
|
|
|
|
STF3NK80Z |
|
N-channel 800v - 3.8? - 2.5a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
400
|
73.69
|
|
|
|
STF3NK80Z |
|
N-channel 800v - 3.8? - 2.5a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STF3NK80Z |
|
N-channel 800v - 3.8? - 2.5a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet
|
|
1
|
217.98
|
|
|
|
STF3NK80Z |
|
N-channel 800v - 3.8? - 2.5a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STF3NK80Z |
|
N-channel 800v - 3.8? - 2.5a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet
|
ST1
|
|
|
|
|
|
STF3NK80Z |
|
N-channel 800v - 3.8? - 2.5a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
UF5408 |
|
Диод 1000V, 3A, 75nS
|
DC COMPONENTS
|
19 745
|
8.05
|
|
|
|
UF5408 |
|
Диод 1000V, 3A, 75nS
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UF5408 |
|
Диод 1000V, 3A, 75nS
|
MCC
|
|
|
|
|
|
UF5408 |
|
Диод 1000V, 3A, 75nS
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
UF5408 |
|
Диод 1000V, 3A, 75nS
|
SMK
|
|
|
|
|
|
UF5408 |
|
Диод 1000V, 3A, 75nS
|
|
931
|
4.74
|
|
|
|
UF5408 |
|
Диод 1000V, 3A, 75nS
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
UF5408 |
|
Диод 1000V, 3A, 75nS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
UF5408 |
|
Диод 1000V, 3A, 75nS
|
MIC
|
6 602
|
4.50
|
|
|
|
UF5408 |
|
Диод 1000V, 3A, 75nS
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
UF5408 |
|
Диод 1000V, 3A, 75nS
|
LGE
|
|
|
|
|
|
UF5408 |
|
Диод 1000V, 3A, 75nS
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
UF5408 |
|
Диод 1000V, 3A, 75nS
|
KLS
|
|
|
|
|
|
UF5408 |
|
Диод 1000V, 3A, 75nS
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
UF5408 |
|
Диод 1000V, 3A, 75nS
|
1
|
|
|
|
|
|
UF5408 |
|
Диод 1000V, 3A, 75nS
|
SUNTAN
|
1 168
|
7.48
|
|
|
|
UF5408 |
|
Диод 1000V, 3A, 75nS
|
GOODWORK
|
7 320
|
7.70
|
|