|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
ANALOG DEVICES
|
20 704
|
75.60
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
|
1 042
|
151.20
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
ANALOG DEVICES
|
1
|
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
YOUTAI
|
2 596
|
19.14
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
629
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.60
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
177 459
|
2.87
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
21 150
|
5.02
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
105 446
|
2.77
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 800
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
23 738
|
8.27
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
ST MICROELECTRONICS
|
217 548
|
7.55
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
|
10 470
|
8.90
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
STMICROELECTRONICS
|
11 673
|
10.22
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
ST MICROELECT
|
|
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
0.00
|
|
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
679
|
|
|
|
|
LMV331M5 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LMV331M5 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LMV331M5 |
|
|
|
|
72.00
|
|
|
|
LMV331M5 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
300
|
|
|
|
|
LMV331M5 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LMV331M5 |
|
|
TEXAS
|
377
|
64.54
|
|
|
|
LMV331M5 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
244
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
976
|
245.90
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
|
1 108
|
176.98
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
717
|
|
|