PMR780SN

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PMR780SN (PHILIPS.)	531	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PMR780SN

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs	1.05nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	550mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	920 mOhm @ 300mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	23pF @ 30V
Power - Max	530mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-75, SOT-416
Корпус	SOT-416

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PMR780SN (MOSFET)

N-channel uTrenchmos (tm) standard level FET

Производитель:
NXP

PMR780SN datasheet
89.5 Кб