PHD3055E

Версия для печати

Технические характеристики PHD3055E

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 5.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	5.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	250pF @ 25V
Power - Max	33W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHD3055E (MOSFET)

TrenchMOS (tm) standard level FET

Производитель:
NXP

PHD3055E datasheet
317.7 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CA035M0220REF-0810	Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 35 В	YAGEO
CA035M0220REF-0810	Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 35 В
Д161-250-12			48	1 288.00
Д161-250-12		САРАНСК
Д161-250-12		RUS
Д161-250-12		СИЛ.ПРИБ.3
Д161-250-12		ПРОТОН-Э
Д161-250-12		ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС
Д247			856	127.27
Д247		САРАНСК
Д247		П/П 2
Д247		СЗТП
Д247		RUS
Д247		РОССИЯ
Д247		САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КТ209М			2 326	9.25
КТ209М		КРЕМНИЙ	266	16.40
КТ209М		ПЛАНЕТА
КТ209М		ТРАНЗИСТОР
КТ209М		АЛЕКСАНДРОВ
КТ209М		НАЛЬЧИК
КТ209М		ЭЛЕКС
КТ209М		БРЯНСК
КТ209М		МИНСК
КТ209М		ИНТЕГРАЛ
КТ601АМ			31 126	3.70
КТ601АМ		ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
КТ601АМ		ВОРОНЕЖ	4 814	4.24
КТ601АМ		ВЗПП	800	16.40
КТ601АМ		200
КТ601АМ		2550
КТ601АМ		3268