PH2520U

Версия для печати

Технические характеристики PH2520U

Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7 mOhm @ 25A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	100A
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	78nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5850pF @ 10V
Power - Max	62.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-100, SOT-669
Корпус	LFPAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PH2520U (MOSFET)

N-channel TrenchMOS ultra low level FET

Производитель:
NXP

PH2520U datasheet
95.4 Кб