|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 4.7K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Power - Max | 250mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SMT3 |
|
PDTA143EK (Универсальные биполярные PNP транзисторы) PNP resistor-equipped transistor
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BLM15BB221SN1D | MURATA |
|
|
|||||
| BLM15BB221SN1D | MURATA | 90 666 |
|
|||||
| BLM15BB221SN1D | Murata Electronics North America |
|
|
|||||
| BLM15BB221SN1D | MUR | 32 271 |
0.69 >500 шт. 0.23 |
|||||
| BLM15BB221SN1D |
|
|
||||||
| BLM15BB221SN1D | 0.00 |
|
|
|||||
|
|
|
ECS-120-18-4XEN |
|
ECS Inc |
|
|
||
|
|
|
ECS-120-18-4XEN |
|
ECS INC | 1 184 |
|
||
|
|
|
ECS-120-18-4XEN |
|
|
|
|||
| LG063M4700BPF-3040 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4700 мкФ 63 В | YAGEO |
|
|
|||
| LG063M4700BPF-3040 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4700 мкФ 63 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| LG063M4700BPF-3040 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4700 мкФ 63 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| REG101NA-5/3KG4 | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| REG101NA-5/3KG4 | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| К73-17-100-0.068 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.068 мкФ 100 В |
|
8.48 | ||||
| К73-17-100-0.068 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.068 мкФ 100 В | SUNTAN |
|
|
|||
| К73-17-100-0.068 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.068 мкФ 100 В | КИТАЙ |
|
|