PDTA123ES

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PDTA123ES (PHILIPS.)	23 272	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PDTA123ES

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	2.2K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	2.2K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 20mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	1µA
Power - Max	500mW
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Корпус	TO-92-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PDTA123E (Биполярные транзисторы)

PNP resistor-equipped transistors

Также в этом файле: PDTA123ES

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PDTA123ES datasheet
102.49Kb
14стр.