PBLS2002S

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PBLS2002S (NXP.)	2 181	3-4 недели Цена по запросу
PBLS2002S (PHILIPS.)	10 322	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PBLS2002S

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V, 20V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA, 3A
Transistor Type	1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Resistor - Base (R1) (Ohms)	4.7K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	4.7K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max)	1µA, 100nA
Frequency - Transition	100MHz
Power - Max	1.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PBLS2002S (Универсальные биполярные PNP транзисторы)

20V PNP BISS loadswitch

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PBLS2002S datasheet
109.82Kb
16стр.