NTMSD2P102LR2

Версия для печати

Технические характеристики NTMSD2P102LR2

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	FETKY™
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	750pF @ 16V
Power - Max	710mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.