NTJD4001NT1
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 10mA, 4V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 250mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.3nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 33pF @ 5V |
| Power - Max | 272mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SOT-363 |
| Product Change Notification | LTB Notification 08/Jan/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
NTJD4001N (Дискретные сигналы) Small Signal Mosfet 30 V, 250 mA, Dual N-Channel Также в этом файле: NTJD4001NT1, NTJD4001NT1G
Производитель:
|
