NTHS5443T1
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-ChipFET™ |
| Корпус | ChipFET |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
NTHS5443 (Мощные полевые МОП транзисторы) Power Mosfet -20 V, -4.9 A, P-Channel ChipFETt Также в этом файле: NTHS5443T1, NTHS5443T1G
Производитель:
|
