NTHD4508NT1


NTHD4508NT1 (заказ)
NTHD4508NT1

Технические характеристики NTHD4508NT1

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET Type2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs75 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3A
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds180pF @ 10V
Power - Max1.13W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-ChipFET™
КорпусChipFET
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru