NTHD4401PT1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NTHD4401PT1 (ON SEMICONDUCTOR.)	68	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NTHD4401PT1

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	155 mOhm @ 2.1A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	300pF @ 10V
Power - Max	1.1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-ChipFET™
Корпус	ChipFET

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTHD4401P (Мощные полевые МОП транзисторы)

Power MOSFET -20 V, -3.0 A, Dual P-Channel, ChipFETt

Также в этом файле: NTHD4401PT1, NTHD4401PT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

NTHD4401PT1 datasheet
70.01Kb
8стр.