NSS35200CF8T1G
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 35V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 20mA, 2A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1.5A, 2V |
| Power - Max | 635mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-ChipFET™ |
| Корпус | ChipFET |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
