MUN5316DW1T1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MUN5316DW1T1 (ON SEMICONDUCTOR.)	52 964	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MUN5316DW1T1

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	4.7K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	160 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Power - Max	250mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SOT-363

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.