MMUN2214LT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
MMUN2214LT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	1 564	3-4 недели Цена по запросу
MMUN2214LT1G (ONS)	18 236	4.79
MMUN2214LT1G	1	15.12

Версия для печати

Технические характеристики MMUN2214LT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	10K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Power - Max	246mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Wire Change 14/Oct/2008 Possible Adhesion Issue 11/July/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Производитель	Количество	Цена, руб.
BLM18SG221TN1D	MUR	82 113	2.47
BLM18SG221TN1D	MURATA	73 794	5.17
BLM18SG221TN1D	Murata Electronics North America
BLM18SG221TN1D
BLM18SG221TN1D	MURATA
FM25CL64B-GTR	RAMTRON	13	113.65
FM25CL64B-GTR	RAMTRON INTERNATIONAL CORP
FM25CL64B-GTR	CYPR
FM25CL64B-GTR		1 248	79.10
FM25CL64B-GTR	CYPRESS	16 059
FM25CL64B-GTR	CYP
FM25CL64B-GTR	CYPRESS
FM25CL64B-GTR	INFINEON	6	95.69
FM25CL64B-GTR	4-7 НЕДЕЛЬ	620
TPS51200DRCR	TEXAS INSTRUMENTS	442	19.63
TPS51200DRCR	TEXAS INSTRUMENTS	17 056
TPS51200DRCR	TEXAS	12 660	18.00
TPS51200DRCR		14
TPS51200DRCR	4-7 НЕДЕЛЬ	418
TPS5420DR	TEXAS INSTRUMENTS
TPS5420DR		1	904.00
TPS5420DR	TEXAS INSTRUMENTS
TPS5420DR	TEXAS	1 796	179.61
TPS5420DR	TEXASINSTRUMENTS
TPS5420DR	4-7 НЕДЕЛЬ	569