MJD50T4


Купить MJD50T4 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MJD50T4
Версия для печати

Технические характеристики MJD50T4

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 300mA, 10V
Power - Max15W
Frequency - Transition10MHz
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход