|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| SCR Type | Sensitive Gate |
| Voltage - Off State | 400V |
| Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
| Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.7V |
| Current - On State (It (RMS)) (Max) | 1.5A |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200µA |
| Current - Hold (Ih) (Max) | 5mA |
| Current - Off State (Max) | 10µA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 15A @ 60Hz |
| Рабочая температура | -40°C ~ 110°C |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Корпус | TO-92-3 |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
BU808DFI |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W | FAIR |
|
|
|
|
|
|
BU808DFI |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
BU808DFI |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W |
|
212.28 | ||
|
|
|
BU808DFI |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W | - |
|
|
|
|
|
|
BU808DFI |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
BU808DFI |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
HIS0169B |
|
SMPS упpавление SMR 40200 C | SAMSUNG |
|
|
||
|
|
HIS0169B |
|
SMPS упpавление SMR 40200 C |
|
87.68 | |||
|
|
HIS0169B |
|
SMPS упpавление SMR 40200 C | SAM |
|
|
||
|
|
HIS0169B |
|
SMPS упpавление SMR 40200 C | ГЕРМАНИЯ |
|
|
||
|
|
HIS0169B |
|
SMPS упpавление SMR 40200 C | 4-7 НЕДЕЛЬ | 464 |
|
||
|
|
|
MCR22-8 |
|
SCR 600V, 1.5A, Igt=0.2mA | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MCR22-8 |
|
SCR 600V, 1.5A, Igt=0.2mA |
|
|
||
|
|
|
MCR22-8 |
|
SCR 600V, 1.5A, Igt=0.2mA | ONS |
|
|
|
|
|
|
MCR22-8 |
|
SCR 600V, 1.5A, Igt=0.2mA | MOTOROLA | 149 |
|
|
| PET32-02 |
|
|
||||||
| ТДКС32-02 |
|
|