Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 10A |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 100V |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 10A |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Diode Type | Schottky |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK (SMD-220) |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
B41458-63V-22000UF |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22000 мкФ 63 В
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
B41458-63V-22000UF |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22000 мкФ 63 В
|
|
|
2 689.12
|
|
|
|
IR2117S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2117S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
|
|
150.24
|
|
|
|
IR2117S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2117S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
США
|
|
|
|
|
|
IR2117S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
IR2117S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2117S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
71
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
|
11 604
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
DIOTEC
|
51 674
|
3.05
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
6 104
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
OTHER
|
3 066
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
1 166
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
YJ
|
126 471
|
2.07
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
HOTTECH
|
9 280
|
2.07
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
CJ
|
10 400
|
9.30
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
SHIKUES
|
6 845
|
1.31
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
JSMICRO
|
38 424
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
HXY
|
14 793
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
PV36W101A01B00 |
|
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
PV36W101A01B00 |
|
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
PV36W101A01B00 |
|
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|