LQW18AN3N9D00D

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
LQW18AN3N9D00D (MURATA)	1 078	3.85
LQW18AN3N9D00D (MUR)	20 496	2.55

Версия для печати

Технические характеристики LQW18AN3N9D00D

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	LQW18A_00
Inductance	3.9nH
Current	850mA
Допустимые отклонения емкости	±0.5nH
DC Resistance (DCR)	59 mOhm Max
Q @ Freq	35 @ 250MHz
Self Resonant Freq	6GHz
Корпус (размер)	0603 (1608 Metric)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Frequency - Test	100MHz
Сфера применения	High Frequency
Tolerance	±0.5nH

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2450AT18A100E				109.20
2450AT18A100E		Johanson Technology Inc
2450AT18A100E				109.20
2450AT18A100E		JOHANSON
ADS1294IPAG		Texas Instruments
ADS1294IPAG			40	1 847.03
ADS1294IPAG		4-7 НЕДЕЛЬ	417
EK-HL0805RGBW
EK-HL0805RGBW		SMARTMODULE
IRLML6302	Транзистор полевой P-канальный MOSFET	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLML6302	Транзистор полевой P-канальный MOSFET			13.76
IRLML6302	Транзистор полевой P-канальный MOSFET	МАЛАЙЗИЯ
IRLML6302	Транзистор полевой P-канальный MOSFET	INFINEON
IRLML6302	Транзистор полевой P-канальный MOSFET	HOTTECH	124 324	4.13
IRLML6302	Транзистор полевой P-канальный MOSFET	KLS
IRLML6302	Транзистор полевой P-канальный MOSFET	SUNTAN	16 449	7.25
IRLML6302	Транзистор полевой P-канальный MOSFET	KEENSIDE	5 746	2.71
IRLML6302	Транзистор полевой P-канальный MOSFET	YOUTAI	20 646	2.61
LQM21FN100M70L		Murata Electronics North America
LQM21FN100M70L		MUR	64 904	3.93
LQM21FN100M70L		MURATA
LQM21FN100M70L
LQM21FN100M70L		MURATA	8 672	6.97