| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
57.78
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
|
12
|
55.50
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFZ34N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=29A@T=25C, Id=20A@T=100C, Rds=0.04 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
52
|
71.83
|
|
|
|
IRFZ34N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=29A@T=25C, Id=20A@T=100C, Rds=0.04 R, ...
|
|
|
65.64
|
|
|
|
IRFZ34N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=29A@T=25C, Id=20A@T=100C, Rds=0.04 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
92
|
|
|
|
|
IRFZ34N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=29A@T=25C, Id=20A@T=100C, Rds=0.04 R, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFZ34N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=29A@T=25C, Id=20A@T=100C, Rds=0.04 R, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
LM2595S-ADJ |
|
СН подстраеваемый c частотной (150кГц) стабилизацией (Vfb=1,23V, КПД=78%, tol=4%, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2595S-ADJ |
|
СН подстраеваемый c частотной (150кГц) стабилизацией (Vfb=1,23V, КПД=78%, tol=4%, ...
|
|
|
369.80
|
|
|
|
LM2595S-ADJ |
|
СН подстраеваемый c частотной (150кГц) стабилизацией (Vfb=1,23V, КПД=78%, tol=4%, ...
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM2595S-ADJ |
|
СН подстраеваемый c частотной (150кГц) стабилизацией (Vfb=1,23V, КПД=78%, tol=4%, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
12
|
|
|
|
|
LM2595S-ADJ |
|
СН подстраеваемый c частотной (150кГц) стабилизацией (Vfb=1,23V, КПД=78%, tol=4%, ...
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM2595S-ADJ |
|
СН подстраеваемый c частотной (150кГц) стабилизацией (Vfb=1,23V, КПД=78%, tol=4%, ...
|
NATIONAL SEMIC
|
|
|
|
|
|
LM2595S-ADJ |
|
СН подстраеваемый c частотной (150кГц) стабилизацией (Vfb=1,23V, КПД=78%, tol=4%, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM2595S-ADJ |
|
СН подстраеваемый c частотной (150кГц) стабилизацией (Vfb=1,23V, КПД=78%, tol=4%, ...
|
NS
|
|
|
|
|
|
LM2595S-ADJ |
|
СН подстраеваемый c частотной (150кГц) стабилизацией (Vfb=1,23V, КПД=78%, tol=4%, ...
|
YOUTAI
|
789
|
16.99
|
|
|
|
LM2595S-ADJ |
|
СН подстраеваемый c частотной (150кГц) стабилизацией (Vfb=1,23V, КПД=78%, tol=4%, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
78
|
|
|
|
|
LM7805ACT |
|
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
LM7805ACT |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM7805ACT |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
LM7805ACT |
|
|
|
|
|
|
|
|
LM7805ACT |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM7805ACT |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
370
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
|
15 216
|
10.61
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
5 242
|
12.40
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
128
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
1013
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
264
|
|
|
|